Основная особенность нового типа устройств заключается в очень низком рабочем напряжении — менее 0,5 В, что позволит снизить общее энергопотребление микрокомпьютера более чем на 90% по сравнению с современными аналогами.
Процесс производства новой экономичной электроники при этом в значительной степени схож с CMOS-технологией, используемой для выпуска привычных полевых (MOSFET) транзисторов, что гарантирует быструю коммерциализацию технологии с минимумом затрат и предсказуемо низкой себестоимостью.
Новая низковольтная электроника Toshiba базируется на разработанных в компании «туннельных полевых транзисторах» (Tunnel FET, TFET) с гораздо более низким, нежели у традиционных полевых транзисторов, напряжением переключения. По словам представителей компании Toshiba, рабочее напряжение туннельных транзисторов может быть снижено до половинного потенциала традиционных полевых транзисторов, то есть, менее 0,5 В.
Уже последние несколько лет в лаборатории компании Toshiba ведется разработка туннельных транзисторов . Однако проблемой, стоявшей на пути внедрения новой технологии в массовое производство, была слишком малая сила тока, возникающего при туннельном эффекте, значительно меньшая, чем у традиционных полевых транзисторов. Специалисты Toshiba решили проблему, разработав новую технологию, которая позволила увеличить силу тока при неизменном напряжении на затворе.
Специалисты Toshiba уверены, что коммерциализация микрокомпьютеров на базе новой низковольтной транзисторной технологии возможна уже в 2017-м году. Новая технология, вероятнее всего займет свое, достойное место в производстве носимой электроники, мобильных устройств с автономным питанием, а также для выпуска терминалов для беспроводных сенсорных сетей.
Но на данный момент разработка еще не вышла за рамки лабораторных исследований.