Samsung вложит $7 млрд в строительство завода по производству микросхем в Китае

Южнокорейский концерн Samsung Electronics Co. собирается потратить $7 млрд на строительство завода по выпуску чипов флэш-памяти NAND в китайской провинции Шаньси, сообщает агентство Bloomberg.

Начальные инвестиции в строительство оцениваются Samsung в $2,3 млрд. Завод будет пущен в эксплуатацию предположительно уже в I полугодии 2013 года.

Данный проект является крупнейшим вложением Samsung в производственные мощности за пределами Южной Кореи. Руководство компании выбрало Китай в качестве производственной площадки, поскольку он становится ключевым мировым рынком чипов, отмечается в пресс-релизе Samsung.

В сентябре 2011 года начал работу аналогичный завод Samsung в Южной Корее стоимостью 12 трлн вон ($10,6 млрд), являющийся крупнейшим предприятием по производству NAND в отрасли.

По оценкам американской исследовательской организации IHS, спрос на микросхемы NAND, которые широко используются в различных мобильных устройствах, подскочит на 49% в 2011-2015 годах.

Все материалы, размещенные на «Компаньон-Онлайн» со ссылкой на «Интерфакс-Украина» не подлежат перепечатке, копированию или воспроизведению в любом виде без письменного согласия «Интерфакс-Украина».

Залишити відповідь